Что такое напряжение отсечки полевого транзистора?

Напряжение отсечки полевого транзистора (VGS (th)) — это напряжение, которое необходимо приложить к входу (затвору) полевого транзистора, чтобы он перестал проводить ток.

Полевой транзистор — это устройство, состоящее из полупроводникового кристалла, в котором образованы два pn-перехода. Один переход соединяет затвор и исток, а другой переход соединяет затвор и сток. Когда на затвор подается напряжение, то электроны из затвора проникают в прилегающую область, что в свою очередь меняет концентрацию свободных носителей заряда и, как следствие, уменьшает объем пространства, в котором эти носители могут двигаться. Таким образом, изменение напряжения на затворе приводит к изменению сопротивления в канале транзистора, что, в свою очередь, влияет на ток, который может протекать через транзистор.

Напряжение отсечки полевого транзистора является одним из важных параметров, которые определяют, какие напряжения могут быть использованы для управления транзистором. Если напряжение на затворе меньше напряжения отсечки, то транзистор не будет проводить ток и будет находиться в состоянии отсечки. Если напряжение на затворе превышает напряжение отсечки, то транзистор начнет проводить ток.

Напряжение отсечки полевого транзистора зависит от конкретного типа транзистора и может варьироваться от нескольких милливольт до нескольких десятков вольт. Оно также может быть повышено или понижено путем изменения химического состава полупроводникового материала, из которого изготовлен транзистор, или изменения его геометрических параметров.

В заключение, напряжение отсечки полевого транзистора является важным параметром, который определяет, какие напряжения могут быть использованы для управления транзистором. Понимание этого параметра позволяет разработчикам электронных устройств выбирать подходящие транзисторы для своих приложений и правильно подбирать напряжения для управления ими.